赛微电子拟投资 10 亿元建设 6-8 英寸硅基氮化镓功率器件

　　4 月 3 日消息，近日北京赛微电子股份有限公司发布了关于与青州市人民政府签署《合作协议》的公告。公告中显示赛微电子拟在青州经济开发区发起投资 10 亿元分期建设聚能国际 6-8 英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目，总占地面积 30 亩，一期建成投产后将形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圆 5000 片 / 月的生产能力，二期建成投产后将形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圆 12000 片 / 月的生产能力，将为全球 GaN 产品客户的旺盛需求提供成熟的技术支持和产能保障。

　　据了解，GaN(氮化镓)属于第三代半导体材料，第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等，因其禁带宽度(Eg)大于或等于 2.3 电子伏特(eV)，又被成为宽禁带半导体材料，与第一、二代相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

　　公司已于 2018 年 7 月在青岛市崂山区投资设立 “青岛聚能创芯微电子有限公司”，主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓(GaN)功率与微波器件的设计、开发;已于 2018 年 6 月在青岛市即墨区投资设立 “聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司”，主要从事半导体材料，尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发、生产，该公司投资建设的第三代半导体材料制造项目(一期)已于 2019 年 9 月达到投产条件，正式投产。作为公司 GaN 业务一级平台公司，聚能创芯汇聚了业界团队，拥有第三代半导体材料生长、工艺制造、器件设计等全产业链技术能力及储备，且截至目前在 6-8 英寸硅基 GaN 外延晶圆、GaN 功率器件及应用方面已形成系列产品并实现批量销售。