紫光国芯发布格芯 12 纳米工艺的 GDDR6 存储控制器

　　根据西安紫光国芯半导体的消息，紫光国芯在GLOBALFOUNDRIES(格芯)举办的中国全球科技会议上正式发布了基于格芯12纳米低功耗工艺(GF 12LP)的GDDR6存储控制器和物理接口IP。

　　官方表示，与已有的方案相比，新方案在芯片功耗、面积和成本等方面均有明显的提升，并能满足在面向人工智能(AI)和计算应用等热点领域不断增长的需求。

　　西安紫光国芯的GDDR6 MC/PHY IP包括一个可配置的内存控制器(MC)，其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0标准，并允许设计工程师生成具有优化延迟和带宽的GDDR6控制器以满足高性能应用的要求，如显卡，游戏机和AI计算等。该IP针对功耗和性能进行了优化设计，西安紫光国芯的GDDR6物理接口(PHY)提供了高达12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的数据速率，同时兼容JEDEC250和DFI3.1标准。物理接口(PHY)部分还嵌入了高性能锁相环以满足严格的时序规范。与主流GDDR6存储颗粒集成，经过流片测试验证，该IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps数据率时满足设计规格要求。且当数据率为16Gbps时，平均每个DQ的功耗小于4mW/Gbps。

　　目前，紫光国芯的GDDR6 MC/PHY IP已经在格芯的12LP工艺平台上架。