三星：正在开发 8 层 TSV 的 DDR5 内存模块，容量达 DDR4 两倍

　　8月22日，在HotChips33大会上，三星确认正在开发具有8层TSV(直通硅通孔)的DDR5内存模块，是DDR4内存容量的两倍。这意味着理论上可以实现512GB内存模块。

　　通过优化包装，三星的DDR5内存模块高度将低于DDR44层内存。由于管芯之间的间隙较小(减少40%)，通过实施薄晶圆处理技术，可能会降低高度。重要的是，8层TSV模块提供更好的散热。

　　三星预计DDR5内存将提供比DDR4高85%的性能，高达7.2Gbps的带宽和高达512GB的双倍容量。同时，新模块具有更低的1.1V电压，提高电源效率。

　　三星表示，预计到2023/2024年，DDR5内存将提供给主流市场，数据中心市场的产品将更快推出，计划在今年年底前生产512GB内存模块。