群联发布 PS5018-E18 SSD 主控：12nm 制程，支持 176 层闪存颗粒

  5月26日消息群联电子(Phison)昨日正式推出全新的NVMeSSD主控芯片，型号为PS5018-E18。该芯片采用PCIe4.0×4通道，读写性能突破7000MB/s。不仅如此，该芯片采用台积电12nm工艺，与市场上的其他主控相比，能有效降低发热。

  群联主控有三个ARMCortexR5核心，同时还配有双CoXProcessor处理器用于数据传输和地址转换。主控支持第四代LDPC纠错引擎，兼容NVMe1.4协议规范。

  就速度而言，与之前推出的E16主控性能相比，E18主控性能有了明显，顺序读取量超过7400MB/s，顺序写入量超过7000MB/s。主芯片与176层NAND闪存颗粒兼容，其随机读写性能比市场上96层颗粒提高35%，可达100万IOPS。

  群联这款主控芯片有8通道，32CE，与DDR4缓存兼容，支持8TB的容量。该产品将在中国台北举办的Computex2021展上正式展出。