台积电采用2nm进步神速或采用绕栅晶体管技术

　　最近，在苹果公司发布新一代iPadAir，搭载了台积电5nm工艺A14处理器后，台积电又一次成为业界关注的焦点。据国外媒体报道，台积电在5nm工艺上大放异彩，下一步将重点发展3nm及2nm工艺。

　　台积电采用2nm进步神速或采用绕栅晶体管技术。

　　上月，台积电在技术论坛上发布了5nm、4nm、3nm工艺的新进展，并表示3nm工艺的研发正按计划进行，并将继续采用成熟的鳍式场效应晶体管技术。然而最近，比3nm更先进的2nm工艺也逐渐浮出水面。

　　据产业链消息人士透露，台积电目前2nm工艺进展神速，甚至超出了预期，2nm将不再使用成熟的场效应晶体管技术(FinFET)，而是使用绕栅晶体管技术(GAA)。

　　也是在上个月的科技论坛上，台积电副总裁KevinZhang在预录录像带中说，新的台湾研发中心将运作先进的生产线，投入8000名工程师，以克服2nm制程的技术难题。