业内曝三星 3nm GAA 存在漏电等关键技术问题，难与台积电匹敌

　　据业内人士透露，三星电子的3nmGAA工艺仍面临漏电等关键技术问题。消息人士表示，该工艺在性能和成本上可能不如台积电的3nmFinFET工艺。

　　据《电子时报》报道，上述人士表示，三星最早可能在2022年量产3nmGAA工艺，但由于成本高、性能不理想，可能无法吸引台积电3nmFinFET工艺获得的客户，据说后者已经获得了苹果和英特尔的订单。

　　台积电有望在2022年下半年将其3nmFinFET推向量产，CEO魏哲家在最近的财务报告会议上说，N3将是我们N5的另一个全面扩展，并将采用FinFET晶体管结构，为客户提供的技术成熟度、性能和成本。

　　三星在失去苹果iPhone处理器订单后，在芯片竞争中落后于台积电。据市场观察人士透露，从苹果拿回订单将是韩国供应商赢得3nm竞争的关键。